IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開(kāi)關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”，士蘭微生產(chǎn)的耐壓600V IGBT產(chǎn)品，覆蓋了從5A至50A的電流規(guī)格，在電焊機(jī)、變頻器和IPM領(lǐng)域已經(jīng)得到了大規(guī)模應(yīng)用，獲得了業(yè)內(nèi)廣泛好評(píng)。

　　

　　SGTP5T60SD1D/F/S IGBT絕緣柵雙極型晶體管，5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，有TO252、TO263、TO220F多種封裝，可應(yīng)用于UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

　　

　　SGT15T60SD1T/F/S 15A、600V絕緣柵雙極型晶體管，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=15A，有T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-263-2L多種封裝，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

　　

　　SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 絕緣柵雙極型晶體管，集電極-射極電壓600V，集電極電流（Tc=100°）20A，具有較低的飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=20A，有T0-220F-3L、T0-263-2L、T0-247-3L、T0-220FD-3L、T0-3P、T0-220-3L多種封裝。

　　

　　SGT20T60SDM1P7 20、600V絕緣柵雙極型晶體管，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.7V@IC=20A，采用T0-247-3L封裝，具有導(dǎo)通損耗、快開(kāi)關(guān)速度、高輸入阻抗等特點(diǎn)。

　　

　　SGT30T60SD1F 絕緣柵雙極型晶體管，集電極-射極電壓600V，集電極電流（Tc=100°）30A，具有較低的飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A，有T0-220F-3L、TO-220FD-3L兩種封裝。

　　

　　SGT30T60SDM1P7 30A、600V絕緣柵雙極型晶體管，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A，采用T0-2473L封裝。

　　

　　SGTP50V60FD2PF絕緣柵雙極型晶體管，集電極-射極電壓600V，集電極電流（Tc=100°）50A，飽和壓降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=50A，采用TO-3PF封裝，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，該產(chǎn)品可應(yīng)用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。

　　

　　常用IGBT耐壓600V系列有TO252、TO263、TO220F、TO247、TO220FD、TO3PF、TO247N等多種封裝，滿足不同市場(chǎng)和應(yīng)用的需求提供品質(zhì)穩(wěn)定和優(yōu)異性能的產(chǎn)品，同時(shí)能夠控制成本，保證供貨，從而能讓產(chǎn)品在價(jià)格、供貨以及技術(shù)支持方面有著持續(xù)的優(yōu)勢(shì)，更多600V-1350V IGBT絕緣柵雙極型晶體管產(chǎn)品手冊(cè)、參數(shù)及方案應(yīng)用資料請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>